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Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

邢海英 范广涵 何 苗 章 勇 周天明 赵德刚

Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

邢海英, 范广涵, 何 苗, 章 勇, 周天明, 赵德刚
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-11
  • 修回日期:  2008-03-11
  • 刊出日期:  2008-10-20

Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

  • 1. (1)华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631; (2)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50602018),广东省自然科学基金(批准号:06025083),广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001),广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071)和粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A010501008)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N 2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大.

English Abstract

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