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13.56 MHz 低频功率对60 MHz射频容性耦合等离子体的电特性的影响

袁强华 辛 煜 黄晓江 孙 恺 宁兆元

13.56 MHz 低频功率对60 MHz射频容性耦合等离子体的电特性的影响

袁强华, 辛 煜, 黄晓江, 孙 恺, 宁兆元
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-02-27
  • 修回日期:  2008-04-11
  • 刊出日期:  2008-11-20

13.56 MHz 低频功率对60 MHz射频容性耦合等离子体的电特性的影响

  • 1. 苏州大学物理科学与技术学院,薄膜材料江苏省重点实验室,苏州 215006
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10635010,10775103)资助的课题.

摘要: 使用补偿朗缪尔探针诊断技术,研究了60MHz/13.56MHz双频激发容性耦合等离子体的空间电子行为,得到了电子能量概率函数(EEPF)随径向位置和低频输入功率的演变行为. 实验结果表明,13.56MHz射频输入功率的变化主要影响低能电子的布居,其影响随气压升高而加大. 在等离子体放电中心以外,EEPF呈现出双峰分布的特性,同时发现从放电中心到极板边缘,次能峰有逐渐向高能区漂移的现象,次能峰的出现显示了中能电子的增强的加热效应. 通过EEPF方法,计算了等离子体的电子温度、电子密度. 讨论了等离子体中的电

English Abstract

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