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插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究

宋庆功 王延峰 宋庆龙 康建海 褚 勇

插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究

宋庆功, 王延峰, 宋庆龙, 康建海, 褚 勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-04-11
  • 修回日期:  2008-07-15
  • 刊出日期:  2008-12-20

插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究

  • 1. 
    基金项目: 

    中国民用航空总局教育研究基金(批准号:03-3-07)和中国民航大学科研基金(批准号:05YK26S)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选用局域密度近似对Ag1/4TiSe2及TiSe2的几何结构进行了优化和总能量计算.计算得到的晶格常量与实验结果符合较好,负的形成能表明有序Ag1/4TiSe2系统的稳定性.布居数、键长、能带结构和态密度的计算结果显示:Ag以较强的离子性结合于Ag1/4TiSe2中.Ag的插入使得半金属性的TiSe2

English Abstract

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