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低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

崔 灿 马向阳 杨德仁

低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

崔 灿, 马向阳, 杨德仁
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-04-19
  • 修回日期:  2007-07-21
  • 刊出日期:  2008-01-05

低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

  • 1. (1)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027; (2)浙江理工大学物理系,杭州 310018;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    教育部创新团队和新世纪优秀人才支持计划、国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2007CB6130403)和浙江理工大学科研启动基金(批准号:0613265-Y)资助的课题.

摘要: 研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64 h过程中的氧沉淀行为. 结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用,且起始温度越低促进作用越强. 这是因为在Ramping处理中,低温(450—650℃)热处理阶段氧的扩散速率显著增强,促进了氧沉淀核心的形成,且较低的Ramping升温速率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大. 进一步的实验结果还表明,低起始温度的Ramping处理可应用于硅片的内吸杂工艺,能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力,减少热预

English Abstract

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