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β-Si3N4电子结构和红外和拉曼频率的第一性原理研究

朱应涛 杨传路 王美山 董永绵

β-Si3N4电子结构和红外和拉曼频率的第一性原理研究

朱应涛, 杨传路, 王美山, 董永绵
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-04-24
  • 修回日期:  2007-07-18
  • 刊出日期:  2008-02-20

β-Si3N4电子结构和红外和拉曼频率的第一性原理研究

  • 1. 鲁东大学物理与电子工程学院,烟台 264025
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10674114)资助的课题.

摘要: 分别用PW91,B3LYP两种密度泛函方法和全电子高斯基组对β-Si3N4的几何结构进行全优化(包括晶格参数和原子坐标),结果和实验值符合良好. 同时计算了能带结构和态密度.在此基础上分别用上述两种方法计算了Γ点拉曼振动频率,并按对称性进行分类,将得到的11种拉曼活性模式的频率值与实验值以及其他文献值进行了比较,进一步确定了Ag模式为中等频率,值约459cm-1. 计算结果表明

English Abstract

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