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高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备

李跃甫 叶 辉 傅兴海

高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备

李跃甫, 叶 辉, 傅兴海
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-02-07
  • 修回日期:  2007-07-18
  • 刊出日期:  2008-01-05

高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备

  • 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:60578012)和浙江省自然科学基金(批准号:x405002)资助的课题.

摘要: 采用溶胶-凝胶法在(100)Si单晶上预先制备出掺钾(K)的铌酸锶钡(SBN)缓冲层,利用射频磁控溅射法在缓冲层KSBN上沉积出高择优取向的铌酸锶钡薄膜,获得了磁控溅射法制备择优取向铌酸锶钡薄膜的相关工艺参数,研究发现,KSBN缓冲层能够很有效地克服衬底与SBN薄膜之间较大的晶格失配,在氧气氩气的比例为1∶2,工作气压为10 Pa,溅射功率300 W,衬底温度300℃,退火温度为800℃的工艺条件下,能够获得c轴高度择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.利用X射线衍射仪,原子力显微镜等仪器分析了薄膜

English Abstract

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