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用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

何 萌 刘国珍 仇 杰 邢 杰 吕惠宾

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

何 萌, 刘国珍, 仇 杰, 邢 杰, 吕惠宾
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-05-06
  • 修回日期:  2007-06-13
  • 刊出日期:  2008-02-20

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60576015)资助的课题.

摘要: 采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10-5Ω·cm,迁移率达到5830 cm2/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底

English Abstract

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