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感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究

刘 峰 孟月东 任兆杏 舒兴胜

感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究

刘 峰, 孟月东, 任兆杏, 舒兴胜
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-04-02
  • 修回日期:  2007-06-06
  • 刊出日期:  2008-03-20

感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究

  • 1. 中国科学院等离子体物理研究所,合肥 230031

摘要: 利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现:在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111);基片温度达到450℃时薄膜出现ZrN(200)衍射峰,ZrN(111)晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构,当ICP为200 W,基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失;随着基片温度的升高,N/Zr元素比例降低,并且薄膜的电阻率下降;相对于传统溅射,ICP增强射

English Abstract

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