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沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析

宋禹忻 俞重远 刘玉敏

沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析

宋禹忻, 俞重远, 刘玉敏
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-28
  • 修回日期:  2007-10-25
  • 刊出日期:  2008-02-05

沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析

  • 1. 北京邮电大学理学院,北京 100876;北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京 100876
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号: 2003CB314901)和国家自然科学基金(批准号:60644004)资助的课题.

摘要: 采用动力学蒙特卡罗模型模拟了沉积速率和生长停顿对GaAs衬底中垂直耦合InAs 量子点超晶格生长早期阶段的影响.通过对生长表面形态、岛平均尺寸、岛尺寸分布及其标准差等方面的研究,发现综合控制沉积速率和生长停顿时间能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列.这对后续量子点超晶格生长过程中量子点的定位有重要影响.

English Abstract

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