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氢化非晶硅薄膜的热导率研究

李世彬 吴志明 袁 凯 廖乃镘 李 伟 蒋亚东

氢化非晶硅薄膜的热导率研究

李世彬, 吴志明, 袁 凯, 廖乃镘, 李 伟, 蒋亚东
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-06-30
  • 修回日期:  2007-09-14
  • 刊出日期:  2008-05-28

氢化非晶硅薄膜的热导率研究

  • 1. 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
    基金项目: 

    教育部新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-04-0896)资助的课题.

摘要: 采用铂电极为加热电阻,研究了厚度为300—370nm等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的热导率随衬底温度的变化规律.用光谱式椭偏仪拟合测量薄膜的厚度,得到了沉积速率随衬底温度变化规律,傅里叶红外(FTIR)表征了在KBr晶片衬底上制备的a-Si:H薄膜的红外光谱特性,SiH原子团键合模的震动对热量的吸收降低了薄膜热导率.从动力学角度分析了薄膜热导率随平均温度升高而增大的原因,并比较了声子传播和自由电子移动在a-Si:H薄膜热导率变化上的作用差异.

English Abstract

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