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In-N共掺杂ZnO第一性原理计算

陈 琨 范广涵 章 勇 丁少锋

In-N共掺杂ZnO第一性原理计算

陈 琨, 范广涵, 章 勇, 丁少锋
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-06
  • 修回日期:  2007-10-17
  • 刊出日期:  2008-05-28

In-N共掺杂ZnO第一性原理计算

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50602018),广东省自然科学基金 (批准号:06025083),广东省科技攻关计划 (批准号:2006A10802001),广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z1-D0071)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO,N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子对In-N共掺杂ZnO的影响.计算结果表明:N掺杂ZnO在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近.而加入激活施主In的In-N共掺杂ZnO,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能级带变宽、非局域化特征明显、提高了掺杂浓度和系统的稳定性.文章的结论与实验结果相符,从而为实

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