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铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

羊新胜 赵 勇

铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

羊新胜, 赵 勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-25
  • 修回日期:  2007-10-16
  • 刊出日期:  2008-05-28

铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

  • 1. 材料先进技术教育部重点实验室和超导研究开发中心,西南交通大学,成都 610031
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50372052,50588201)和国家重大基础研究项目(973)(批准号:2007616906)资助的课题.

摘要: 利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La07Sr03MnO3掺杂的ZnO陶瓷. 晶界处存在La07Sr03MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相. 样品中绝缘相LMO的含量显著影响着样品的电学性能. 掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性. 在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质. 正磁电阻的出现,是由于磁场的存在

English Abstract

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