铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

羊新胜; 赵  勇

doi:10.7498/aps.57.3188

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铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

羊新胜 , 赵勇

铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

羊新胜, 赵勇

物理学报. 2008, 57(5): 3188-3192.

doi: 10.7498/aps.57.3188.

摘要
利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La07Sr03MnO3掺杂的ZnO陶瓷. 晶界处存在La07Sr03MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相. 样品中绝缘相LMO的含量显著影响着样品的电学性能. 掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性. 在样品上施加磁场后，样品电阻值增加，表现为正磁电阻性质. 正磁电阻的出现，是由于磁场的存在

关键词:
ZnO /

压敏电阻 /

锰氧化物 /

正磁电阻
作者及机构信息
羊新胜,

赵勇

1.
材料先进技术教育部重点实验室和超导研究开发中心，西南交通大学，成都 610031

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：50372052，50588201)和国家重大基础研究项目(973)(批准号：2007616906)资助的课题.
参考文献

施引文献

[1]	李东临, 高宏玲, 曾一平, 商丽燕, 林铁, 郭少令, 俞国林, 褚君浩, 周文政. In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应. 物理学报, 2008, 57(8): 5232-5236. doi: 10.7498/aps.57.5232
[2]	秦杰明, 田立飞, 赵东旭, 蒋大勇, 曹建明, 丁梦, 郭振. 一维氧化锌纳米结构生长及器件制备研究进展. 物理学报, 2011, 60(10): 107307. doi: 10.7498/aps.60.107307
[3]	徐佳楠, 陈焕铭, 潘凤春, 林雪玲, 马治, 陈治鹏. 氧化锌掺钡的电子结构及其铁电性能研究. 物理学报, 2018, 67(10): 107701. doi: 10.7498/aps.67.20172263
[4]	陈顺生, 熊良斌, 杨昌平. Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷中界面陷阱态相关电阻转变行为. 物理学报, 2016, 65(8): 087302. doi: 10.7498/aps.65.087302
[5]	陈顺生, 杨昌平, 肖海波, 徐玲芳, 马厂. Nd1-xSrxMnO3中掺杂浓度对电脉冲诱导电阻转变效应的影响. 物理学报, 2012, 61(14): 147301. doi: 10.7498/aps.61.147301
[6]	段满益, 徐明, 周海平, 陈青云, 胡志刚, 董成军. 碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 物理学报, 2008, 57(10): 6520-6525. doi: 10.7498/aps.57.6520
[7]	张富春, 张威虎, 董军堂, 张志勇. Cr掺杂ZnO纳米线的电子结构和磁性. 物理学报, 2011, 60(12): 127503. doi: 10.7498/aps.60.127503
[8]	李铭杰, 高红, 李江禄, 温静, 李凯, 张伟光. 低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究. 物理学报, 2013, 62(18): 187302. doi: 10.7498/aps.62.187302
[9]	袁洪涛, 张　跃, 谷景华. 原位生长高度定向ZnO晶须. 物理学报, 2004, 53(2): 646-650. doi: 10.7498/aps.53.646
[10]	施尔畏, 宋力昕, 陈之战, 刘学超, 张华伟. 固相反应法制备Co掺杂ZnO的磁性和光学性能研究. 物理学报, 2006, 55(5): 2557-2561. doi: 10.7498/aps.55.2557
[11]	李勇, 孙成伟, 刘志文, 张庆瑜. 磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究. 物理学报, 2006, 55(8): 4232-4237. doi: 10.7498/aps.55.4232
[12]	河裾厚男, 陈志权. He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究. 物理学报, 2006, 55(8): 4353-4357. doi: 10.7498/aps.55.4353
[13]	李晖, 谢二庆, 张洪亮, 潘孝军, 张永哲. 火焰喷雾法合成ZnO和MgxZn1－xO纳米颗粒的光学性能研究. 物理学报, 2007, 56(6): 3584-3588. doi: 10.7498/aps.56.3584
[14]	黄金华, 张琨, 潘楠, 高志伟, 王晓平. 表面修饰ZnO纳米线紫外光响应的增强效应. 物理学报, 2008, 57(12): 7855-7859. doi: 10.7498/aps.57.7855
[15]	于宙, 李祥, 龙雪, 程兴旺, 刘颖, 曹茂盛, 王富耻, 王晶云. Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备和磁性研究. 物理学报, 2008, 57(7): 4539-4544. doi: 10.7498/aps.57.4539
[16]	苏希玉, 张天冲, 梅增霞, 刘章龙, 刘尧平, 郭阳, 杜小龙, 薛其坤, 崔秀芝. 湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响. 物理学报, 2009, 58(1): 309-314. doi: 10.7498/aps.58.309
[17]	路忠林, 谢凯旋, 莫仲荣, 邹文琴, 王申, 岳凤娟, 吴镝, 张凤鸣, 都有为, 严国清. 共沉淀法制备Co掺杂ZnO的室温铁磁性的研究. 物理学报, 2009, 58(2): 1237-1241. doi: 10.7498/aps.58.1237
[18]	邵铮铮, 王晓峰, 张学骜, 常胜利. 原子力显微技术研究ZnO纳米棒的压电放电特性. 物理学报, 2010, 59(1): 550-554. doi: 10.7498/aps.59.550
[19]	关丽, 李强, 赵庆勋, 郭建新, 周阳, 金利涛, 耿波, 刘保亭. Al和Ni共掺ZnO光学性质的第一性原理研究. 物理学报, 2009, 58(8): 5624-5631. doi: 10.7498/aps.58.5624
[20]	潘峰, 丁斌峰, 法涛, 成枫锋, 周生强, 姚淑德. Fe离子注入ZnO生成超顺磁纳米颗粒. 物理学报, 2011, 60(10): 108501. doi: 10.7498/aps.60.108501

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物理学报. 2008, 57(5): 3188-3192.

doi: 10.7498/aps.57.3188.

铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

羊新胜
赵勇

1. 材料先进技术教育部重点实验室和超导研究开发中心，西南交通大学，成都 610031

基金项目:

国家自然科学基金(批准号：50372052，50588201)和国家重大基础研究项目(973)(批准号：2007616906)资助的课题.

收稿日期: 2007-09-25
修回日期: 2007-10-16
刊出日期: 2008-05-28

摘要: 利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La07Sr03MnO3掺杂的ZnO陶瓷. 晶界处存在La07Sr03MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相. 样品中绝缘相LMO的含量显著影响着样品的电学性能. 掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性. 在样品上施加磁场后，样品电阻值增加，表现为正磁电阻性质. 正磁电阻的出现，是由于磁场的存在

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The study of ZnO varistor doped with ferromagnetic manganese oxide

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The study of ZnO varistor doped with ferromagnetic manganese oxide

1. 材料先进技术教育部重点实验室和超导研究开发中心，西南交通大学，成都 610031

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