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硅薄膜沉积过程中等离子发光基团的一维空间分布研究

陈 飞 张晓丹 赵 颖 魏长春 孙 建

硅薄膜沉积过程中等离子发光基团的一维空间分布研究

陈 飞, 张晓丹, 赵 颖, 魏长春, 孙 建
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-29
  • 修回日期:  2007-10-06
  • 刊出日期:  2008-05-28

硅薄膜沉积过程中等离子发光基团的一维空间分布研究

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划 (批准号:2006CB202600),国家高技术研究发展规划(批准号:2007AA05Z436),国家自然科学基金(批准号:60506003), 天津市自然科学基金(批准号:05YFJMTC01600),中国-希腊政府间合作项目和新世纪优秀人才支持计划资助的课题.

摘要: 使用光发射谱(OES)对甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积硅薄膜时的等离子体发光基团的空间分布进行了在线监测和研究. 研究表明:等离子体的不同发光基团都存在着一个中间强度较大的区域和两边电极附近的暗区;增大硅烷浓度和提高辉光功率都会增大SiH*峰强度;硼烷的加入,使得SiH*和Hα*峰强度增大,但硼烷流量变化的影响很小;硼烷流量增大,材料的晶化率下降,而I[Hα*]

English Abstract

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