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p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

赵德刚 周 梅

p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

赵德刚, 周 梅
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-17
  • 修回日期:  2007-12-27
  • 刊出日期:  2008-07-20

p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083; (2)中国农业大学理学院应用物理系,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60776047)和中国农业大学青年教师科研启动基金(基金批准号:2006007)资助的课题.

摘要: 研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.

English Abstract

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