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激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列

宫本恭幸 小田俊理 姚 尧 方忠慧 周 江 李 伟 马忠元 徐 骏 黄信凡 陈坤基

激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列

宫本恭幸, 小田俊理, 姚 尧, 方忠慧, 周 江, 李 伟, 马忠元, 徐 骏, 黄信凡, 陈坤基
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-25
  • 修回日期:  2008-02-29
  • 刊出日期:  2008-08-20

激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列

  • 1. (1)东京工业大学物理电子学系,日本东京 152-8552; (2)南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:90301009,60571008,60471021)、国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB932202)资助的课题.

摘要: 利用激光干涉结晶方法,采用周期为400 nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明,样品上呈条状分布的受辐照区域发生晶化.原子力显微镜和透射电子显微镜测试结果表明:1D的nc-Si阵列的周期和移相光栅掩模一样.随着a-Si:H膜厚度从10nm降至4nm,通过控制激光的能量密度,每个周期中nc-Si条状分布区宽度可达到30nm.nc-Si条状分布区的高分辨电子显微镜照片显

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