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N,Ga共掺杂实现p型ZnO的第一性原理研究

赵慧芳 曹全喜 李建涛

N,Ga共掺杂实现p型ZnO的第一性原理研究

赵慧芳, 曹全喜, 李建涛
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-14
  • 修回日期:  2008-01-26
  • 刊出日期:  2008-09-20

N,Ga共掺杂实现p型ZnO的第一性原理研究

  • 1. 西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071

摘要: 采用第一性原理的超软赝势方法,研究了纤锌矿ZnO在本征及N-Ga,2N-Ga共掺杂情况下的几何结构、能带、电子态密度.结果显示,共掺杂N-Ga构型具有更稳定的结构.研究还发现:共掺杂2N-Ga的ZnO结构有效地提高了载流子浓度,非局域化特征明显,更有利于获得p型ZnO.

English Abstract

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