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60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响

杨丽侠 杜 磊 陈晓东 李群伟 张 莹 赵志刚 何 亮 包军林 庄奕琪

60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响

杨丽侠, 杜 磊, 陈晓东, 李群伟, 张 莹, 赵志刚, 何 亮, 包军林, 庄奕琪
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-10
  • 修回日期:  2008-03-23
  • 刊出日期:  2008-09-20

60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响

  • 1. (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60676053)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200603)资助的课题.

摘要: 在肖特基二极管(Schottky barrier diode,SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上,利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型,深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响. 研究结果表明,辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因. 正因为如此,噪声与器件退化存在相关性,即噪声拟合参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照

English Abstract

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