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ITO/有机半导体/金属结构OLED器件的数值模拟

胡 玥 饶海波 李君飞

ITO/有机半导体/金属结构OLED器件的数值模拟

胡 玥, 饶海波, 李君飞
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-03
  • 修回日期:  2008-02-26
  • 刊出日期:  2008-09-20

ITO/有机半导体/金属结构OLED器件的数值模拟

  • 1. 电子科技大学光电信息学院,成都 610054

摘要: 基于稳态的小信号漂移扩散方程,建立了有电极的单层有机电致发光(OLED)器件的数值模型,编制的MATLAB程序,首先模拟了文献中的OLED器件电极附近正电荷层(面电荷)对器件J-V的影响,得到了和文献中一致的结果. 模拟了ITO/PPV/Ca结构的OLED器件,模拟时,考虑了OLED阳极附近存在正体电荷,得到的J-V曲线和文献中的实验结果一致,体电荷产生了势垒,影响了电流曲线.

English Abstract

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