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GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

蒋中伟 王文新 高汉超 李辉 何涛 杨成良 陈弘 周均铭

GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

蒋中伟, 王文新, 高汉超, 李辉, 何涛, 杨成良, 陈弘, 周均铭
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-21
  • 修回日期:  2008-07-05
  • 刊出日期:  2009-01-20

GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

  • 1. 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京 100190

摘要: 研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2ML GaSb/1ML GaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5ML,量子点的发光波长红移了约25nm,室温下PL光谱波长接近1300nm.

English Abstract

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