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ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

成鹏飞 李盛涛 赵雷 李建英

ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

成鹏飞, 李盛涛, 赵雷, 李建英
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-08
  • 修回日期:  2008-07-09
  • 刊出日期:  2009-01-20

ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

  • 1. (1)西安工程大学理学院,西安 710048; (2)西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
    基金项目: 

    国家杰出青年科学基金(批准号:50625721),国家自然科学基金(批准号:50477023)和电力设备电气绝缘国家重点实验室中青年基础研究创新基金资助的课题.

摘要: 从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130—20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2

English Abstract

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