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熔体旋甩工艺对Zn掺杂Ⅰ-型Ba8Ga12Zn2Ge32笼合物微结构及热电性能的影响

曹卫强 邓书康 唐新峰 李鹏

熔体旋甩工艺对Zn掺杂Ⅰ-型Ba8Ga12Zn2Ge32笼合物微结构及热电性能的影响

曹卫强, 邓书康, 唐新峰, 李鹏
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-12
  • 修回日期:  2008-07-11
  • 刊出日期:  2009-01-20

熔体旋甩工艺对Zn掺杂Ⅰ-型Ba8Ga12Zn2Ge32笼合物微结构及热电性能的影响

  • 1. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:50731006)和国家自然科学基金(批准号:50572082)资助的课题.

摘要: 采用新颖的熔体旋甩(MS)结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了单相Zn掺杂的Ⅰ-型Ba8Ga12Zn2Ge32笼合物,研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及热电性能的影响. 结果表明,MS得到的薄带自由面主要由300nm—1μm的小立方体单晶组成,薄带经SPS烧结后得到了具有大量层状精细结构的致密块体. 与熔融+SPS工艺制备的试样相比,熔融+MS+SPS制备的Ba8Ga12Zn

English Abstract

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