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隔离层厚度和盖层厚度对InAs/GaAs量子点应变分布和发射波长的影响

刘玉敏 俞重远 任晓敏

隔离层厚度和盖层厚度对InAs/GaAs量子点应变分布和发射波长的影响

刘玉敏, 俞重远, 任晓敏
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-31
  • 修回日期:  2008-07-01
  • 刊出日期:  2009-01-20

隔离层厚度和盖层厚度对InAs/GaAs量子点应变分布和发射波长的影响

  • 1. (1)北京邮电大学,理学院,北京 100876;光通信与光波技术教育部重点实验室(北京邮电大学),北京 100876; (2)光通信与光波技术教育部重点实验室(北京邮电大学),北京 100876
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2003CB314901),国家自然科学基金(批准号: 60644004) 和高校创新引智计划项目(批准号:B07005)资助的课题.

摘要: 分析了量子点盖层生长过程中隔层厚度对应变分布的影响,指出隔层材料的纵向晶格常数与量子点材料的纵向晶格常数对应变分布具有重要意义.定性说明了应变因素在隔离层生长过程中对量子点高度塌陷产生的影响.讨论了当隔离层顶面与量子点高度持平后,增加盖层厚度对应变分布的影响.基于变形势理论,讨论了上述几何参数的变化对发光波长的影响,并与实验结果进行了对比.结果表明,在量子点加盖过程中,应变因素对其形貌和发光特性具有重要作用,以应变工程为基础的发射波长调控是拓展量子点波长发射范围的有效途径.

English Abstract

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