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半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性

施卫 薛红 马湘蓉

半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性

施卫, 薛红, 马湘蓉
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-02
  • 修回日期:  2009-04-27
  • 刊出日期:  2009-06-05

半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性

  • 1. (1)渭南师范学院物理与电子工程系,渭南 714000; (2)西安理工大学应用物理系,西安 710048; (3)西安理工大学应用物理系,西安 710048;渭南师范学院物理与电子工程系,渭南 714000
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310406)、国家自然科学基金(批准号:50837005,10876026)、陕西省教育厅专项科研基金(批准号:09JK431)和渭南师范学院科研基金(批准号:08YKF022, 09YKZ021)资助的课题.

摘要: 用波长为532 nm、脉冲宽度为5 ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4 mm的半绝缘GaAs光电导开关,开关偏置电压从500 V开始以步长50 V逐渐增加,直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明,线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后,其后跟随几个幅值较小且具有周期性和不同程度的减幅振荡.分析了开关体内载流子(热电子)的微观状态和输运过程,在直流偏置电场作用下,开关体内的热电子在电子-电子、电子-声子相互作用过程中,当它们的弛豫时间大于载流子的寿命时, 光电子的输运可通过迁移率变化引起光电导振荡, 这是开关输出电脉冲出现振荡的原因.

English Abstract

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