搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟

张科营 郭红霞 罗尹虹 何宝平 姚志斌 张凤祁 王园明

静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟

张科营, 郭红霞, 罗尹虹, 何宝平, 姚志斌, 张凤祁, 王园明
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3733
  • PDF下载量:  1147
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-05
  • 修回日期:  2009-04-18
  • 刊出日期:  2009-12-20

静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟

  • 1. 西北核技术研究所,西安 710024

摘要: 针对特征尺寸为1.5 μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微束、重离子宽束实验结果比较一致,表明所建立的三维器件模型可以用来研究SRAM器件的单粒子翻转效应.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回