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硫系非晶半导体薄膜中的超快光 Kerr效应

钱士雄 刘启明 何漩 干福熹

硫系非晶半导体薄膜中的超快光 Kerr效应

钱士雄, 刘启明, 何漩, 干福熹
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-04
  • 修回日期:  2008-08-17
  • 刊出日期:  2009-01-05

硫系非晶半导体薄膜中的超快光 Kerr效应

  • 1. (1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50772080)、国家教育部 “新世纪优秀人才支持计划”*(批准号:NCET-07-0651)和教育部科学研究重点项目(批准号:107078)资助的课题.

摘要: 利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3, As2Se3, GeS2, GeSe2, Ge20As25S55, Ge20As25Se55, Ge10As40S20

English Abstract

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