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梯形化合物NaV2O4F电子结构的第一性原理研究

胡方 明星 陈岗 王春忠 魏英进 黄祖飞 范厚刚

梯形化合物NaV2O4F电子结构的第一性原理研究

胡方, 明星, 陈岗, 王春忠, 魏英进, 黄祖飞, 范厚刚
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-27
  • 修回日期:  2008-11-05
  • 刊出日期:  2009-02-20

梯形化合物NaV2O4F电子结构的第一性原理研究

  • 1. (1)吉林大学材料科学与工程学院,长春 130012; (2)吉林大学材料科学与工程学院,长春 130012;吉林大学物理学院,长春 130012; (3)吉林大学材料科学与工程学院,长春 130012;吉林师范大学凝聚态物理研究所,四平 136000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 50672031)、教育部长江学者和创新团队发展计划(批准号:IRT0625)和吉林省科技发展计划(批准号:20060511)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法, 通过自旋极化的广义梯度近似(GGA)电子结构计算对梯形化合物NaV2O4F进行了研究. 考虑了四种假想的自旋有序态,计算结果表明该化合物的磁基态具有二维反铁磁(AFM)结构, 即沿梯阶和梯腿方向都表现为AFM作用. 能带结构显示NaV2O4F为绝缘体材料, 带隙约为1.0eV. 方锥体中的晶体场劈裂使得VO4F方锥体中的 V4+

English Abstract

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