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硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响

孙福河 张晓丹 王光红 许盛之 岳强 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 赵颖

硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响

孙福河, 张晓丹, 王光红, 许盛之, 岳强, 魏长春, 孙建, 耿新华, 熊绍珍, 赵颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-27
  • 修回日期:  2008-07-14
  • 刊出日期:  2009-01-05

硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(2007AA05Z436)、天津科技支撑项目(08ZCKFGX03500)、国家重点基础研究发展计划 (批准号:2006CB202602,2006CB202603)、国家自然科学基金(批准号:60506003)、南开大学博士启动基金(J02031)、科技部国际合作重点项目(批准号:2006DFA62390)和教育部新世纪人才计划(批准号:NCET-05-0227)资助的课题.

摘要: 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究.测试结果表明:单室沉积p层后的硼降低了微晶i层材料的暗电导,增加了材料的光敏性;由于硼对i层污染程度的不同,使得材料的激活能发生了变化;腔室中残余的硼也导致微晶硅薄膜的结晶状况恶化,同时弱化了材料的(220)择优取向.而在较高功率和较强氢稀释下制备的晶化率较高,(220)晶向明显择优的材料受硼污染影响相对减小.

English Abstract

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