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氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响

陈静 金国钧 马余强

氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响

陈静, 金国钧, 马余强
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-10
  • 修回日期:  2008-09-18
  • 刊出日期:  2009-02-05

氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响

  • 1. (1)南京大学物理系,南京 210093; (2)南京大学物理系,南京 210093;淮阴师范学院物理系,淮安 223001
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60371013,10674058)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2002086)资助的课题.

摘要: 从实验和理论上阐述了氧空位对Co掺杂ZnO半导体磁性能的影响.采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备了Zn095Co005O薄膜,研究了氧分压对薄膜磁性能的影响.实验结果表明,高真空条件下制备的Zn095Co005O薄膜具有室温铁磁性,提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失.第一性原理计算表明,在Co掺杂ZnO体系中引入氧空位有利于降低铁磁态的能量,铁磁态的稳定性与氧空位和Co之间的距离密切相关.

English Abstract

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