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碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究

张崇宏 张洪华 李炳生 周丽宏 杨义涛 付云翀

碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究

张崇宏, 张洪华, 李炳生, 周丽宏, 杨义涛, 付云翀
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-21
  • 修回日期:  2008-10-28
  • 刊出日期:  2009-05-20

碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究

  • 1. (1)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; (2)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10575124)资助的课题.

摘要: 对氦(He)离子高温(600 K)注入6H-SiC中的辐照缺陷,在阶梯温度退火后演化行为的拉曼光谱和室温光致发光谱的特征进行了分析.这两种方法的实验结果表明,离子注入所产生晶格损伤的程度与注入剂量有关;高温退火导致损伤的恢复,不同注入剂量造成的晶格损伤需要不同的退火温度才可恢复.在阶梯温度退火下呈现出了点缺陷的复合、氦-空位团的产生、氦泡的形核、长大等特性.研究表明:高温(600 K)注入在一定剂量范围内是避免注入层非晶化的一个重要方法,为后续利用氦离子注入空腔掩埋层吸杂或者制备低成本、低缺陷密度的绝缘层

English Abstract

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