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铁磁/半导体/铁磁结构的双量子环自旋输运的特性

杜坚 李春光 秦芳

铁磁/半导体/铁磁结构的双量子环自旋输运的特性

杜坚, 李春光, 秦芳
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-27
  • 修回日期:  2008-11-14
  • 刊出日期:  2009-05-20

铁磁/半导体/铁磁结构的双量子环自旋输运的特性

  • 1. 承德高等民族师范专科学校物理系,承德 067000
    基金项目: 

    河北省教育厅自然科学研究指导项目(批准号:Z2008103)资助的课题.

摘要: 研究了与铁磁/半导体/铁磁结构相关的双量子环自旋输运的规律,研究结果表明:总磁通为零条件下,铁磁电极磁化方向反平行时,双量子环与单量子环相比提高了自旋电子透射概率的平均值.铁磁电极磁化方向平行时,双量子环对提高自旋向下电子平均透射概率的效果更明显;双量子环受到Rashba自旋轨道耦合作用影响时,自旋电子的平均透射概率明显高于单量子环,即使再加上外加磁场的影响,透射概率较高这一特征依然存在;双量子环所含的δ势垒具有阻碍自旋电子输运的作用,随δ势垒强度Z的增大透射概率

English Abstract

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