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单层有机器件的电子传输特性的数值模拟

胡玥 饶海波

单层有机器件的电子传输特性的数值模拟

胡玥, 饶海波
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-21
  • 修回日期:  2008-11-19
  • 刊出日期:  2009-05-20

单层有机器件的电子传输特性的数值模拟

  • 1. 电子科技大学光电信息学院,成都 610054

摘要: 在漂移扩散模型的基础上建立了单层有机器件的模型,包括了电荷注入、传输、空间电荷效应和陷阱的影响.电荷注入考虑了热电子发射电流和隧道电流.模拟得到的结果和文献中报道的实验测试数据一致.模拟研究了各个因素对器件J-V曲线的影响,电流和器件长度成反比,电流随着空穴注入势垒的减小而增加.电子注入势垒从1.7 eV减少到0.5 eV时,电流随着电子注入势垒的减小而减小,这主要是因为有机材料中电子迁移率太小,电子注入电流的增加可以忽略,而电子注入势垒的减小使内建势增加,在同样的电压下,场强

English Abstract

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