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多孔硅量子点中的电子局域态

黄伟其 王晓允 张荣涛 于示强 秦朝建

多孔硅量子点中的电子局域态

黄伟其, 王晓允, 张荣涛, 于示强, 秦朝建
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-02
  • 修回日期:  2008-12-04
  • 刊出日期:  2009-07-20

多孔硅量子点中的电子局域态

  • 1. (1)贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵州大学,贵州 550025; (2)中国科学院地球化学研究所,贵阳 550003
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10547006,10764002)资助的课题.

摘要: 经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品,在650—780 nm处检测到很强的光致荧光(PL)峰,并且有明显的钉扎和增强效应.实验表明,这种PL发光的强度与样品受辐照和退火的时间短密切相关.通过第一性原理模拟计算发现,样品表面用SiO 双键和Si—O—Si桥键钝化,能隙中会出现电子局域态.激光辐照和高温退火的时间长短决定了样品表面SiO双键和Si—O—Si桥键的密度,而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成的关键.

English Abstract

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