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低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究

袁广才 徐征 赵谡玲 张福俊 孙钦军 徐叙瑢 许娜

低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究

袁广才, 徐征, 赵谡玲, 张福俊, 孙钦军, 徐叙瑢, 许娜
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出版历程
  • 修回日期:  2008-12-08
  • 刊出日期:  2009-07-20

低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究

  • 1. (1)北京交通大学光电子技术研究所,北京 100044;北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 100044; (2)北京交通大学理学院,北京 100044
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2006AA03Z0412),国家自然科学基金(批准号:10774013,60576016),北京交通大学优秀博士生科技创新基金(批准号:48024),教育部博士点基金(批准号:20070004024)和博士点新教师基金(批准号:20070004031),北京市科技新星计划(批准号:2007A024),教育部留学回国科研启动基金和校基金(批准号:2005SM057)资助的课题.

摘要: 制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane (OTS),phenyltrimethoxysilane (PhTMS),来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|V

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