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单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟

何安民 邵建立 秦承森 王裴

单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟

何安民, 邵建立, 秦承森, 王裴
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-12
  • 修回日期:  2008-12-30
  • 刊出日期:  2009-08-20

单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟

  • 1. 北京应用物理与计算数学研究所,北京 100088
    基金项目: 

    中国工程物理研究院科学技术发展基金(批准号:2007B09012,2008B0101008)资助的课题.

摘要: 使用分子动力学方法对室温下单晶铜沿[001]和[111]方向冲击加载及卸载下的塑性行为进行了模拟,得到了Hugoniot关系以及冲击熔化压力,与实验基本符合. 加载过程中,较高的初始温度有利于位错的形核与发展. 通过对冲击波在自由表面卸载过程的模拟和分析发现:卸载过程呈现“准弹性卸载行为”;沿[001]方向卸载后大量不全位错环与堆积层错消失,而沿[111]方向卸载后只有少量层错消失,部分层错甚至会发展扩大.

English Abstract

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