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负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

常本康 高频 乔建良 田思 杜晓晴

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

常本康, 高频, 乔建良, 田思, 杜晓晴
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-08
  • 修回日期:  2008-12-24
  • 刊出日期:  2009-04-05

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

  • 1. (1)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;南阳理工学院电子与电气工程系,南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院,重庆 400030
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:60871012,60701013)资助的课题.

摘要: 利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极激活机理.实验表明:GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.

English Abstract

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