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用于POF的高性能共振腔发光二极管

李建军 杨臻 韩军 邓军 邹德恕 康玉柱 丁亮 沈光地

用于POF的高性能共振腔发光二极管

李建军, 杨臻, 韩军, 邓军, 邹德恕, 康玉柱, 丁亮, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-28
  • 修回日期:  2009-01-16
  • 刊出日期:  2009-09-20

用于POF的高性能共振腔发光二极管

  • 1. 北京工业大学北京光电子技术实验室,北京 100124
    基金项目: 

    北京市教育委员会科技计划面上项目(批准号:KM200810005002)和北京市属市管高等学校人才强教计划资助的课题.

摘要: 提出用AlGaAs材料为n型下DBR,AlGaInP材料为p型上DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱为有源区来制备650nm波长的共振腔发光二极管(RCLED).用传输矩阵法对器件的结构进行了理论设计,并制备了RCLED和普通LED两种结构.测试结果表明,RCLED有更高的发光效率,是普通LED的近1.3倍,当注入电流从3mA增加到30mA时,RCLED的峰值波长只变化了1nm,而普通LED的波长则变化了7nm,且RCLED的光谱半宽窄,远场发散角小.

English Abstract

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