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化合物半导体材料的正电子寿命计算

陈祥磊 张杰 杜淮江 周先意 叶邦角

化合物半导体材料的正电子寿命计算

陈祥磊, 张杰, 杜淮江, 周先意, 叶邦角
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-05
  • 修回日期:  2009-06-01
  • 刊出日期:  2010-01-15

化合物半导体材料的正电子寿命计算

  • 1. 中国科学技术大学近代物理系,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10675114,10835006)资助的课题.

摘要: 在局域密度理论(LDA)和广义梯度理论(GGA)的基础上计算了ZnO,GaN,GaAs,SiC和InP五种化合物半导体材料中的正电子湮没信息,包括化合物半导体材料中的自由态正电子的湮没寿命;还有不同类型空位(单空位,双空位)附近俘获的束缚态正电子密度分布和湮没率分布,以及束缚态正电子的湮没寿命.

English Abstract

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