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单粒子瞬变中的双极放大效应研究

刘征 陈书明 梁斌 刘必慰 赵振宇

单粒子瞬变中的双极放大效应研究

刘征, 陈书明, 梁斌, 刘必慰, 赵振宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-11
  • 修回日期:  2009-04-09
  • 刊出日期:  2010-01-15

单粒子瞬变中的双极放大效应研究

  • 1. 国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所,长沙 410073
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004)、教育部“高性能微处理器技术创新团队”和教育部博士点基金(批准号:20079998015)资助的课题.

摘要: 采用三维数值模拟的方法对比研究了单个NMOS晶体管和反相器链中的单粒子瞬变(single event transient,SET)电流脉冲,发现深亚微米工艺下双极放大电流在单管的SET电流脉冲中占主要成分,而在反相器链的SET模拟中不明显,分析二者的区别解释了源/体结偏压的形成过程和放大机理,并证明了双极放大效应受源/体结偏压影响的结论.在此基础上分析了NMOS管中源极的正向电流及其机理,发现台阶区的源极正向电流主要是由扩散作用形成的.

English Abstract

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