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增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

王冲 全思 马晓华 郝跃 张进城 毛维

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-18
  • 修回日期:  2010-02-04
  • 刊出日期:  2010-05-05

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

  • 1. 宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
    基金项目: 

    国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002)、国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191)、国家自然科学基金重点项目 (批准号:60736033)、中国国防科技预研基金(批准号: 51308030102)和西安电子科技大学回国人员创新基金资助的课题.

摘要: 深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500 ℃ N2中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在 400 ℃ N2中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒

English Abstract

参考文献 (12)

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