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GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜

张燕辉 陈平平 李天信 殷豪

GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜

张燕辉, 陈平平, 李天信, 殷豪
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  • 利用射频氮等离子辅助分子束外延(RF-MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长稀氮 InNSb半导体薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼散射光谱等测量手段对样品的微结构和N组分等进行了表征.结果显示样品有较好的晶体质量,N组分可高达0.84%(XRD的结果).本文还对样品的输运性质进行了表征,结果显示样品在室温下具有较低的载流子浓度和较高的迁移率.另外,初步研究表明在InSb中掺入N可导致其室温磁阻明显下降.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60876059), 上海市基础研究重点项目(批准号:08JC1421000),上海市重大基础研究项目(批准号:09DJ1400101)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-25
  • 修回日期:  2010-03-04
  • 刊出日期:  2010-11-15

GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60876059), 上海市基础研究重点项目(批准号:08JC1421000),上海市重大基础研究项目(批准号:09DJ1400101)资助的课题.

摘要: 利用射频氮等离子辅助分子束外延(RF-MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长稀氮 InNSb半导体薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼散射光谱等测量手段对样品的微结构和N组分等进行了表征.结果显示样品有较好的晶体质量,N组分可高达0.84%(XRD的结果).本文还对样品的输运性质进行了表征,结果显示样品在室温下具有较低的载流子浓度和较高的迁移率.另外,初步研究表明在InSb中掺入N可导致其室温磁阻明显下降.

English Abstract

参考文献 (23)

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