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表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究

陈依新 汤益丹 沈光地 郑婉华 陈微 陈良惠

表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究

陈依新, 汤益丹, 沈光地, 郑婉华, 陈微, 陈良惠
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-17
  • 修回日期:  2010-03-05
  • 刊出日期:  2010-11-15

表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究

  • 1. (1)北京工业大学光电子技术实验室,北京 100124; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121,2008AA03Z402),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902,2006CB921705),北京市自然科学基金(批准号:4092007)资助的课题.

摘要: 近年来,GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均

English Abstract

参考文献 (9)

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