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微波磁场和斜入射对介质表面次级电子倍增的影响

蔡利兵 王建国

微波磁场和斜入射对介质表面次级电子倍增的影响

蔡利兵, 王建国
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-19
  • 修回日期:  2009-04-16
  • 刊出日期:  2010-01-05

微波磁场和斜入射对介质表面次级电子倍增的影响

  • 1. (1)西北核技术研究所,西安 710024; (2)西北核技术研究所,西安 710024;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

摘要: 分别研究了微波磁场和斜入射微波电场对介质表面次级电子倍增的影响.利用particle-in-cell/Monte Carlo方法,获得了微波磁场和斜入射微波电场条件下电子数量、介质表面直流场、电子平均能量和介质表面吸收功率的时间变化图像.模拟结果表明,斜入射和微波磁场虽然会显著影响电子的平均能量,但对电子数量和介质表面吸收功率的影响并不大,因此不会对微波介质表面击穿产生太大作用.

English Abstract

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