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p型GaN低温粗化提高发光二极管特性

邢艳辉 韩军 邓军 李建军 徐晨 沈光地

p型GaN低温粗化提高发光二极管特性

邢艳辉, 韩军, 邓军, 李建军, 徐晨, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-14
  • 修回日期:  2009-06-11
  • 刊出日期:  2010-02-15

p型GaN低温粗化提高发光二极管特性

  • 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京 100124
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA03Z402)、北京市自然科学基金(批准号:4092007, 4102003)、北京市教育委员会科技发展计划(批准号:KM200810005002)和北京工业大学博士科研启动基金 (批准号:X0002013200901)资助的课题.

摘要: 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN: Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP2Mg) 和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP2Mg]/[TMGa])在1.4×10-3—2.5×10-3范围内,随[CP2Mg]/[TMGa]增加,晶体质量提高,空穴浓度线性增加.当[CP2Mg]/[TMGa]为2.5×10-3时获得空穴浓度与在较高温度生长获得的空穴浓度相当,且薄膜表面较粗糙.采用 [CP2Mg]/[TMGa]为2.5×10-3的p型GaN层制备的发光二极管,在注入电流为20 mA时,输出光强提高了17.2%.

English Abstract

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