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互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

何宝平 姚志斌

互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

何宝平, 姚志斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-06
  • 修回日期:  2009-07-16
  • 刊出日期:  2010-03-15

互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

  • 1. 西北核技术研究所,西安 710613
    基金项目: 

    国防预研基金(批准号:311060403)资助的课题.

摘要: 给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件(CMOS器件)空间低剂量率辐射效应模型,相对线性响应预估模型,该模型在预估CMOS器件低剂量率辐射效应方面更接近实际试验结果,且不同剂量率辐射试验结果证实了所建模型的正确性.最后利用新建模型对处于空间低剂量率环境下CMOS器件的敏感参数进行了预估.

English Abstract

参考文献 (12)

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