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OsSi2电子结构和光学性质的研究

李旭珍 谢泉 陈茜 赵凤娟 崔冬萌

OsSi2电子结构和光学性质的研究

李旭珍, 谢泉, 陈茜, 赵凤娟, 崔冬萌
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-01
  • 修回日期:  2009-08-08
  • 刊出日期:  2010-03-15

OsSi2电子结构和光学性质的研究

  • 1. 贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60566001,60766002),科技部国际合作专项项目(批准号:2008DFA52210),贵州省信息产业厅项目(批准号:0831)资助的课题.

摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对正交相OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0813 eV;其价带主要由Os的5d和Si的3p态电子构成;导带主要由Si的3s,3p以及Os的5d态电子构成;静态介电常数ε1(0)=1543; 折射率n=393并利用计算的能带结构和态密度分析了OsSi2的介电函数、吸收系数、折射率、反射率、

English Abstract

参考文献 (14)

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