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SmFeAsO材料的正电子寿命研究

郝颖萍 陈祥磊 成斌 孔伟 许红霞 杜淮江 叶邦角

SmFeAsO材料的正电子寿命研究

郝颖萍, 陈祥磊, 成斌, 孔伟, 许红霞, 杜淮江, 叶邦角
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-08
  • 修回日期:  2009-08-28
  • 刊出日期:  2010-04-15

SmFeAsO材料的正电子寿命研究

  • 1. 中国科学技术大学近代物理系,合肥 230036
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10675114)和国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006)资助的课题.

摘要: 首次用正电子湮灭寿命谱仪(PALS)测量SmFeAsO多晶样品常温下的寿命谱,得到两个寿命成分1516 ps和2903 ps,根据捕获模型得到正电子在SmFeAsO中湮灭的体寿命为1870 ps,与理论计算(广义梯度近似)得到的SmFeAsO单晶中的正电子体寿命173 ps符合较好.基于中性原子叠加模型-有限差分方法(SNA-FD)的理论计算得到正电子与单晶SmFeAsO中各个原子价电子的总湮灭率是其与各个原子核心内层电子总湮灭率的106倍,正电子与Fe,As,Sm,O原子的电子湮灭的概率之比是1∶13∶12∶1.

English Abstract

参考文献 (15)

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