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熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构及热电性能的影响

苏贤礼 唐新峰 李涵

熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构及热电性能的影响

苏贤礼, 唐新峰, 李涵
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-06-23
  • 修回日期:  2009-08-27
  • 刊出日期:  2010-04-15

熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构及热电性能的影响

  • 1. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB607501)和国家自然科学基金重点项目(批准号:50731006)资助的课题.

摘要: 采用新颖的熔体旋甩结合放电等离子烧结技术制备了单相InSb化合物,研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及热电性能的影响. 结果表明,熔体旋甩得到的薄带自由面主要由300 nm—2 μm的小柱状晶组成,薄带接触面为非晶或精细纳米晶,薄带经烧结后得到了具有大量层状精细纳米结构的致密块体,尺寸约为40 nm. 与熔融+放电等离子体烧结制备样品相比,在测试温度范围内(300—700 K),试样的电导率略有下降,但Seebeck系数显著增加,热导率和晶格热导率显著降低,室温下晶格热导率降低幅度约为106%,700 K下晶格热导率的降低幅度达1664%,熔融+熔体旋甩+放电等离子体烧结制备的InSb化合物试样在700 K时其最大ZT值达到049,与熔融+放电等离子体烧结试样相比提高了29%.

English Abstract

参考文献 (17)

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