搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InAs/InxGa1-xSb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究

黄建亮 卫炀 马文全 杨涛 陈良惠

InAs/InxGa1-xSb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究

黄建亮, 卫炀, 马文全, 杨涛, 陈良惠
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4173
  • PDF下载量:  617
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-21
  • 修回日期:  2009-09-03
  • 刊出日期:  2010-05-15

InAs/InxGa1-xSb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究

  • 1. 中科院半导体研究所纳米光电实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973项目)(批准号: 2010CB327602)资助的课题.

摘要: 运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与InxGa1-xSb结合存在应变,在计算中InAs/InxGa1-xSb二类超晶格的带阶采用模型固体理论处理.因为吸收系数与电子-空穴波函数交叠成正比,所以研究了InAs/InxGa1-xSb二类超晶格红外探测器的吸收波

English Abstract

参考文献 (15)

目录

    /

    返回文章
    返回