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质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

王祖军 唐本奇 肖志刚 刘敏波 黄绍艳 张勇

质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

王祖军, 唐本奇, 肖志刚, 刘敏波, 黄绍艳, 张勇
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  • 开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究. 分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理,比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度. 通过开展辐射粒子输运理论计算,分析了不同能量质子对电荷转移效率损伤差异的原因.
    [1]

    [1] Hopkinson G R 2000 IEEE Trans. Nucl. Sci. 47 2460

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    [4] Hardy T, Murowinski R, Deen M J 1998 IEEE Trans. Nucl. Sci. 45 154

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    ] Cao J Z 1993 Radiation Effects on Semiconductor Materials (Beijing: Science Press) pp144,145 (in Chinese)[曹建中 1993 半导体材料的辐射效应 (北京:科学出版社)第144,145页]

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    ] Insoo J, Michael A 2003 IEEE Trans. Nucl. Sci. 50 1924

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    [3] 曾骏哲, 李豫东, 文林, 何承发, 郭旗, 汪波, 玛丽娅, 魏莹, 王海娇, 武大猷, 王帆, 周航. 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析. 物理学报, 2015, 64(19): 194208. doi: 10.7498/aps.64.194208
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-17
  • 修回日期:  2009-12-10
  • 刊出日期:  2010-06-15

质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

  • 1. (1)清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京 100084;西北核技术研究所,西安 710024; (2)西北核技术研究所,西安 710024

摘要: 开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究. 分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理,比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度. 通过开展辐射粒子输运理论计算,分析了不同能量质子对电荷转移效率损伤差异的原因.

English Abstract

参考文献 (16)

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