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n型掺杂层结构对n-i-p型微晶硅电池性能和光致衰退特性的影响

杨瑞霞 侯国付 袁育杰 赵颖 卢鹏

n型掺杂层结构对n-i-p型微晶硅电池性能和光致衰退特性的影响

杨瑞霞, 侯国付, 袁育杰, 赵颖, 卢鹏
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-08
  • 修回日期:  2010-01-25
  • 刊出日期:  2010-06-15

n型掺杂层结构对n-i-p型微晶硅电池性能和光致衰退特性的影响

  • 1. (1)河北工业大学信息工程学院,天津 300130; (2)南开大学光电子薄膜技术与器件研究所,天津 300071; (3)南开大学光电子薄膜技术与器件研究所,天津 300071;河北工业大学信息工程学院,天津 300130
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202602,2006CB202603)、科学技术部国际科技合作计划(批准号:2009DFA62580)、国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA050602)和天津市国家科技计划配套基金(批准号:07QTPTJC29500)资助的课题.

摘要: 采用射频化学气相沉积法,制备了一系列具有不同晶化率n型掺杂层的n-i-p结构微晶硅薄膜太阳电池.发现本征层的结构很大程度上依赖于n型掺杂层的结构,特别是n/i界面处的孵化层厚度以及本征层的晶化率.该系列太阳电池在100 mW/cm2的白光下照射400 h,实验结果证实了本征层晶化率最大(Xc(i)=65%)的电池性能表现出最低的光致衰退率.拥有非晶/微晶过渡区n型掺杂层的电池(本征层晶化率Xc(i)=54%)分别

English Abstract

参考文献 (11)

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